911制品厂麻花主持承担的国家02科技重大专项 “极大规模集成电路用高K关键材料技术研究”（2009ZX02039）项目正式验收会于2014年11月29日-30日在费彝民楼举行，经过任务专家现场测试、质询、审查任务资料，财务专家审议审计报告、审查财务资料，项目及各课题均以高分顺利通过正式验收。验收会开幕式由国家02科技重大专项办公室陈明主持。
911制品厂麻花校长、中科院院士陈骏到会代表承担单位致辞，江苏省科技厅副厅长蒋跃建代表省科技厅讲话，国家02科技重大专项总体专家组组长、中科院微电子所所长叶甜春对项目和课题验收提出了具体要求；项目负责人、911制品厂麻花副校长潘毅教授做项目总体汇报。911制品厂麻花校长助理李成和化学化工学院、科技处负责人，以及项目责任专家、测试应用单位代表等参加会议。
据介绍，我校主持承担的“极大规模集成电路用高K关键材料技术研究”项目是国家02科技重大专项《极大规模集成电路制造技术及成套工艺》设立的前瞻性研究项目，于2009年立项，项目下设七个课题，课题承担单位包括911制品厂麻花国家863计划新材料MO源研究开发中心、911制品厂麻花现代工程与应用科学学院、南京航空航天大学、复旦大学、北京有色金属研究总院、中科院上海微系统所和北京大学深圳研究生院，项目研究主要针对32-22nm技术节点极大规模集成电路CMOS 技术需要，开发具有自主知识产权的高k 材料前驱体及其合成工艺，开发与半导体工艺相兼容的原子层沉积（ALD）高k 材料制备关键技术以及性能优良的先进高k 材料。在项目各课题成员的共同努力下，项目取得了突破性进展，形成了一系列重要成果：研制得到了16种有机铪、有机锆和有机稀土前驱体材料，部分材料成功实现在中国科学院微电子所先导工艺开发平台上线测试应用，取得良好结果，应用情况与国外高品质源相当，达到国际先进水平；开发出基于高K材料HfLaO的RRAM器件，并成功向国内著名微电子公司技术转移；提出并实现了一种新型的微电子基础器件——半浮栅晶体管（SFGT，Semi-Floating-Gate Transistor），研究成果发表在2013年8月出版的《科学》杂志，这也是我国科学家在Science上发表的第一篇微电子器件领域的原创性成果；通过稀土掺杂，研制出介电常数达到56的高介电常数HfO2薄膜；成功在SOI衬底上制备出含高k体系MOSFET器件。项目申请发明专利61项，其中国际专利5项。
与会验收专家对本项目成果给予高度评价和充分肯定，认为911制品厂麻花已经建成了先进高k前驱材料的示范基地。02专项总体专家组组长叶甜春称赞了本项目所取得的成绩，同时希望大家继续努力，为我国微电子新材料技术发展做出更大贡献。(科技处 王毅 谢彤)
